Une nouvelle technologie révolutionnaire pourrait permettre la fabrication de transistors ultra-miniaturisés, bouleversant le domaine des semi-conducteurs. Cette avancée promet des puces plus puissantes et plus économes en énergie, ouvrant la voie à une nouvelle ère d'innovation technologique.

Dans le monde de la technologie, la miniaturisation des composants électroniques est une quête constante. Réduire la taille des transistors permet de créer des circuits plus denses et plus puissants, tout en améliorant l'efficacité énergétique de nos appareils. Cependant, les méthodes traditionnelles de fabrication atteignent leurs limites face aux contraintes physiques imposées par la taille des atomes. Les technologies actuelles ne permettent pas de dépasser une certaine finesse de gravure.

Des chercheurs de l'Institute for Basic Science en Corée du Sud ont trouvé une nouvelle approche pour contourner ces limites. En utilisant des défauts cristallins dans le disulfure de molybdène – une formulation complexe qui cache une méthode ingénieuse de manipulation des matériaux à l'échelle atomique – ils ont réussi à créer des transistors d'une taille inférieure à un nanomètre. Cette avancée dépasse les restrictions actuelles de la photolithographie et permet de construire des structures presque dix fois plus petites qu'auparavant. Cela ouvre de nouvelles perspectives pour la fabrication de semi-conducteurs ultra-miniaturisés.

Cette percée technologique permet de créer des transistors plus petits qu'un nanomètre

La finesse de gravure, qui représente la taille des éléments structurants d'une puce, est cruciale dans la fabrication des semi-conducteurs. Par exemple, les puces de la 14e génération de processeurs Intel Core i9 sont gravées en 10 nm. Comparativement, une puce de 2 nm serait cinq fois plus petite. Actuellement, Samsung teste un prototype de puce Exynos gravée en 2 nm. La technologie développée par l'Institute for Basic Science permet de créer des transistors d'à peine 0,4 nm, soit trois atomes de silicium.

En pratique, cela signifie que des transistors avec une longueur de canal de 3,9 nm pourraient être construits, bien que ce soit actuellement théorique. Cette taille représente environ un sixième de celle des processus de fabrication de 3 nm actuels et pourrait transformer le calendrier de développement des puces. Alors que l'objectif de 2 nm devrait être atteint d'ici 2025, cette découverte pourrait permettre des résolutions de 0,5 nm bien avant 2037.

Source : Institute for Basic Science