Quelques heures après l'événement Samsung Unpacked du MWC 2015, les premiers benchmarks du Galaxy S6 Edge faisaient surface sur la toile. Pour l'heure, seulement le dernier flagship incurvé de Samsung a été testé. Néanmoins, chacun des deux appareils s'équipant du même processeur Exynos 7420 et de 3 Go de Ram LPDDR4, leurs performances et résultats sur les différents outils de benchmark devraient s'avérer assez similaires.

Comme en avait déjà témoigné son premier benchmark AnTuTu, apparu il y a quelques semaines, le Galaxy S6 Edge se place loin devant la concurrence, notamment le Meizu MX4 et le Galaxy Note 4, avec un score de plus de 60 000 points qui semble d'ailleurs ici plutôt avoisiner les 70 000.

Même tendance sur Geekbench où il atteint un score de 1475 points sur le test single core et 5004 points sur le test multi core. Encore une fois, c'est excellent et c'est une première indication de ce que les deux derniers fleurons de Samsung ont à nous offrir.

Du côté de GFXBench, on retiendra surtout les 30 fps obtenus sur T-Rex qui restent, encore une fois, extrêmement encourageants.

Comme vous le savez déjà, le Galaxy S6 Edge s'équipe du dernier module de mémoire UFS 2.0 ultra rapide de Samsung en version 32, 64 ou 128 Go, le tout combiné à la puissance de son dernier processeur Exynos 7420 gravé en 14 nanomètres et à ses 3 Go de RAM LPDDR4.

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Le test AndroBench permet de tester les performances de la mémoire qui semble afficher ici une rapidité ahurissante avec une vitesse de 139,08 MB/s en écriture séquentielle contre 24 MB/s pour le Galaxy S5 et 314,87 MB/s en lecture séquentielle contre 176,5 MB/s pour le Galaxy S5. Idem en lecture aléatoire où le smartphone incurvé atteint un score de 77,2 MB/s contre 13,7 MB/s pour le Galaxy S5.

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