Quelques jours avant l'annonce officielle des Galaxy S6 et S6 Edge, Samsung levait le voile sur ses derniers modules de mémoire UFS 2.0 qu'on retrouve justement au cœur des deux flagships. Des modules 2,7 fois plus rapides que l'eMMC 5.0 et environ 12 fois plus rapides qu'une carte microSD qui se déclinent ici en version 32, 64 et 128 Go.

Que valent les nouveaux modules de mémoire UFS 2.0 des Galaxy S6 et S6 Edge face à la concurrence ? Si jusqu'à présent, on ne disposait que de chiffres théoriques, en guise de réponse, voilà que les premiers tests de mémoire sur l'outil de benchmark AndroBench viennent de faire surface et annoncent déjà des performances records.

Comme vous pouvez le voir sur les graphiques comparatifs ci-dessous, la mémoire UFS 2.0 des Galaxy S6 et S6 Edge est environ trois fois plus rapide que le module eMMC du Sony Xperia Z3 et quatre fois plus rapide que les LG G3 et HTC One M8 en écriture séquentielle. Idem en lecture aléatoire où ils obtiennent des scores environ cinq fois supérieurs à la concurrence. En lecture séquentielle, l'écart est moins prononcé, mais les deux flagships coréens mènent encore la danse. Idem en écriture aléatoire.

Des tests qui prouvent que Samsung disait vrai lorsqu'il vantait les mérites de la mémoire UFS 2.0 et qui démontrent, encore une fois, que le coréen a tout fait pour proposer doter ses deux derniers hauts de gamme d'un maximum d'atouts, à commencer par un processeur Exynos 7420 gravé en 14 nanomètres, un capteur photo de 16 Mégapixels d'ouverture f/1.9, la recharge sans-fil et bien sûr ces nouveaux modules de mémoire mais est-ce que tout ça suffira à compenser la perte d'un slot SD et d'une batterie amovible ?

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