Il semblerait que le prochain Galaxy S25 sera beaucoup plus puissant que l’iPhone 16 Pro, si l’on en croit un nouveau rapport qui prétend dévoiler les performances de la nouvelle puce Snapdragon 8 Gen 4 de Qualcomm.

Ces dernières années, les processeurs Snapdragon de Qualcomm ont largement réduit l'écart avec les puces de la série A d'Apple en termes de performances. Une nouvelle rumeur en provenance de Corée du Sud suggère même que la prochaine puce Snapdragon 8 Gen 4 pourrait surpasser la puce Apple A18, qui équipera l'iPhone 16.

La rumeur affirme que le Snapdragon 8 Gen 4 sera plus performant que l'Apple A18 dans plusieurs benchmarks. Le Snapdragon 8 Gen 4 devrait obtenir un score de 3 500 sur Geekbench, tandis que l'A18 d’Apple ne devrait pas obtenir plus de 3 300. Cela serait donc une première depuis longtemps sur Android. La rumeur indique également que le Snapdragon 8 Gen 4 aura un meilleur score multicœur et un GPU plus rapide, mais c’était déjà le cas pour les générations précédentes.

Le Snapdragon 8 Gen 4 s’annonce surpuissant

L'une des raisons expliquant les performances supérieures du Snapdragon 8 Gen 4 est l'utilisation de cœurs Oryon, qui sont des cœurs ARM personnalisés conçus par Qualcomm. Les puces Snapdragon précédentes utilisaient des cœurs sous licence ARM. Les cœurs Oryon ont été développés par Nuvia, une société que Qualcomm a rachetée en 2021, pour concurrencer Apple, et sont déjà utilisés dans le Snapdragon X Elite, pour les PC portables.

Le Snapdragon 8 Gen 4 sera également le premier à profiter d’une gravure en 3 nm, comme nous l’a confirmé un document confidentiel de Qualcomm. Cela signifie qu'elle sera plus efficace et consommera moins d'énergie.

Qualcomm a confirmé que le Snapdragon 8 Gen 4 serait dévoilé en octobre. Cette puce équipera la prochaine génération de flagships Android, tels que le Galaxy S25 et le OnePlus 13. Il faut donc s’attendre à ce que tous ses smartphones soient plus rapides que les prochains iPhone 16 Pro, si cette rumeur se confirme.

Cependant, la rumeur prévient également que le Snapdragon 8 Gen 4 pourrait présenter quelques inconvénients, tels que la surchauffe et une consommation d'énergie élevée. Le cœur principal de la puce sera cadencé à 4,3 GHz, ce qui est beaucoup plus élevé que les 3,30 GHz du cœur Cortex-X4 du Snapdragon 8 Gen 3. Le rapport indique que la puce peut atteindre une tension de 1,3 V, ce qui pourrait causer des problèmes thermiques. Évidemment, on imagine que Qualcomm mettra en place des solutions pour faire diminuer la puissance de la puce en cas de surchauffe.

Source : meeco