Le Samsung Galaxy S6 pourrait bien être équipé d’une mémoire flash de nouvelle génération, offrant des vitesse de lecture/écriture plus élevées, tout en consommant moins de batterie.

On peut dire que c’est lancé, le festival des rumeurs entourant le futur flaghship de Samsung, le Galaxy S6, a commencé. Nous découvrions il y a peu que l'écran de l'appareil pourrait reprendre le bord incurvé du Galaxy Edge, affichant la chose des deux côtés.

Plus tôt, d’autres rumeurs annonçaient le processeur Snapdragon 810 et un écran QHD pour le flaghship du Coréen, et des bruits encore antérieurs annonçaient une coque unibody métal, reprise dans un concept du Galaxy S6 pas plus tard qu’hier.

C’est aujourd’hui le stockage de l’appareil qui fait parler de lui, avec une rumeur annonçant la présence de la prochaine génération de mémoire flash. C’est une information venue tout droit de Corée qui nous indique que Samsung va commencer à utiliser la norme UFS, introduite par Toshiba au début de l'année.

L'UFS réunit les très hauts débits du SSD (supérieurs à ceux de l’eMMC utilisé dans les smartphones), avec la faible consommation énergétique de l’eMMC pour offrir des performances plus élevées à nos smartphones sans affecter leur autonomie.

Ainsi, alors qu’en eMMC, on atteint des débits de 400 Mo par seconde, l’UFS peut atteindre les 1,2 Go/sec. Comme cette bonne nouvelle ne semble pas suffisante, l’UFS est censé consommer la moitié de l’énergie que demande l’eMMC. En résumer, nous parlons donc d’une mémoire flash 3 fois plus rapide et 2 fois moins gourmande, on appelle ça du gagnant-gagnant.

La contre-partie, en revanche, est que l’UFS est pour le moment plus chère à produire que ces futures ancêtres, mais une baisse des prix est attendue à mesure que la production augmentera, logique. Les premiers smartphones équipés de la technologie seront donc les appareils haut-de-gamme, et le Galaxy S6 appardiendra bien évidemment à cette catégorie. La rumeur pourrait donc bien être vérifiée.

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