Le Snapdragon 845 ne serait finalement pas gravé en 7nm FinFET. Selon de nouvelles informations en fuite, ce nouveau processus de gravure n'est pas encore prêt, et la nouvelle puce de Qualcomm serait donc gravée en 10nm FinFET, à l'instar du Snapdragon 835. Ce changement de programme pourrait poser problème à certains constructeurs, notamment Samsung pour son Galaxy S9. 

Successeur du Snapdragon 835, le Snapdragon 845 est le prochain processeur mobile de Qualcomm. Les Galaxy S9 et Galaxy S9 Plus de Samsung seront les premiers à embarquer le Snapdragon 845. Par la suite, cette puce équipera probablement la plupart des flagships Android de 2018, comme le Snapdragon 835 en 2017. Parmi les smartphones qui l'embarqueront, on évoque déjà le LG G7, le Xiaomi Mi 7 ou encore le Vivo XPlay 7.

Jusqu'à présent, la rumeur courait que le Snapdragon 845 serait le premier processeur gravé en 7nm FinFET par TSMC, ce qui en ferait la puce mobile la plus petite jamais produite. Aujourd'hui toutefois, de nouvelles informations en fuite en provenance du site Fudzilla révèlent que ce processeur serait en fait gravé en 10nm FinFET, comme le Snapdragon 835. La gravure en 7nm ne serait pas prête avant le deuxième semestre 2018, et sera donc destinée au Snapdragon 855. Si cette information est avérée, elle risque de poser un problème majeur à Samsung pour son prochain flagship.

Snapdragon 845 : la gravure en 7nm FinFET n'est pas encore prête

Au début du mois d'octobre, Samsung a annoncé avoir entamé la production de son nouveau processeur Exynos pour le Galaxy S9. Or, ce nouveau processeur sera gravé en 8nm. Cette superficie réduite pourrait permettre d'intégrer davantage de composants au Galaxy S9, ou tout simplement de réduire la taille du smartphone. Toutefois, comme chaque année, il est probable que le processeur Exynos soit réservé aux Galaxy S9 de certains marchés dont la France. Aux Etats-Unis et en Chine, le nouveau flagship de Samsung sera équipé du Snapdragon 845.

Par conséquent, Samsung devra adapter le design de son smartphone au Snapdragon 845. Le Galaxy S9 devra être suffisamment gros pour accueillir ce processeur gravé en 10nm. Il sera donc impossible de tirer profit de la superficie réduite de la nouvelle puce Exynos, à moins de créer deux Galaxy S9 différents, ce qui n'est pas envisageable. De même, outre ce problème de dimensions, l'efficience des deux processeurs risque d'être très inégale. Il est probable que le Snapdragon 845 consomme plus d'énergie que le nouvel Exynos. Difficile de prédire quel compromis Samsung choisira de faire.

En termes de puissance le Snapdragon 845 devrait néanmoins proposer une hausse significative par rapport au Snapdragon 835. La puce embarquerait de nouveaux cœurs Kryo, ainsi qu'un GPU Adreno optimisé pour la réalité virtuelle et la réalité augmentée. On peut également s'attendre à ce que ce nouveau processeur embarquer une unité de traitement neuronal dédiée à l'intelligence artificielle, à l'instar du Kirin 970 de Huawei ou du A11 Bionic d'Apple. Quoi qu'il en soit, la présentation officielle du Snapdragon 845 est certainement imminente. Rappelons que le Snapdragon 835 avait été dévoilé en novembre 2016.