Les prochaines générations de processeurs Snapdragon pourrait fort bien rattraper leur retard face à l'Exynos 7420 de Samsung avant la fin de l'année. Comme on peut aujourd'hui l'apprendre via un communiqué officiel de TSMC, le fondeur a annoncé une nouvelle version de son processus de gravure en 16 nanomètres FinFET et devrait passer à une gravure en 10 nm dès l'an prochain.

Bien que la nouvelle ne vienne pas directement de Qualcomm mais de son fournisseur, on ne peut s'empêcher de faire le lien avec les futures générations de processeurs Snapdragon puisque c'est TSMC qui grave la majorité des puces de Qualcomm.

Comme on peut le lire dans son dernier communiqué TMSC augmentera sa production de puces gravées en 16 nm dès l'été prochain. Grâce à ce nouveau processus de fabrication, les prochaines générations de processeurs mobiles seront à la fois plus puissantes mais également plus économes en énergie.

Mais ce n'est pas tout, car comme on peut le lire un peu plus bas, TSMC anticipe déjà la suite et prévoit de produire des puces gravées en 10 nanomètres dès l'an prochain. Encore plus petites que les puces gravées en 16 nm, celles-ci seront également 20% plus rapides et 50% plus économes en énergie.

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Concernant les futures puces gravées en 10 nm, on sent que la société cherche à rattraper son retard sur Samsung et Intel. L'un de ses reponsables, Handel Jones, déclare notamment au sujet des processeurs de son concurrent :

Samsung a affirmé qu'ils étaient en cours de production, mais nous n'avons rien vu (…) Avec l'accélération des puces en 10 nanomètres qui pourraient mener à 8 nm, TSMC va combler son écart avec Intel.

Reste bien évidemment à savoir qui Qualcomm choisira comme fournisseur pour son Snapdragon 820 : Samsung et sa gravure en 14 nm ou TSMC et sa gravure en 16 nm.

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